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全線大漲!芯片,突傳重大利好!
2026-02-22 13:27:02
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文章提及標(biāo)的
人工智能--
美光科技--
閃迪--
存儲芯片--
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存儲芯片(886042)漲價潮愈演愈烈。

據(jù)最新消息,存儲芯片(886042)巨頭SK海力士表示,受人工智能(885728)(AI)客戶強(qiáng)勁需求和供應(yīng)增長有限的推動,預(yù)計存儲芯片(886042)價格將在全年持續(xù)上漲。該公司還透露,今年沒有任何一家客戶能完全滿足需求。

受漲價的利好刺激,存儲芯片(886042)概念股周五全線大漲,美股閃迪(SNDK)大漲超4%,美光科技(MU)漲超2%;SK海力士大漲超6%,創(chuàng)出歷史新高。此前有消息稱,三星電子正就其最新一代AI存儲芯片(886042)進(jìn)行定價談判,價格較上一代產(chǎn)品最高上浮30%。

芯片巨頭:價格將持續(xù)上漲

在最新召開的虛擬投資者會議上,SK海力士釋放強(qiáng)烈信號:存儲芯片(886042)行業(yè)已全面進(jìn)入賣方市場。

SK海力士對今年的價格走勢給出了非常明確的指引:受AI客戶強(qiáng)勁需求和供應(yīng)增長有限的推動,預(yù)計存儲芯片(886042)價格將在全年持續(xù)上漲。

目前的供需緊張程度已經(jīng)達(dá)到了近年來的高點,SK海力士向高盛(GS)透露:“今年沒有任何一家客戶能夠完全滿足其存儲需求?!?/p>

關(guān)于供給端,SK海力士指出,全行業(yè)受限于潔凈室(Clean room)空間的不足,供應(yīng)增長受到物理限制。客戶非常清楚,短期內(nèi)存儲產(chǎn)能無法顯著增加。因此他們意識到,重復(fù)下單并不會帶來更多的分配量,反而只會進(jìn)一步推高價格。

從庫存角度看,服務(wù)器客戶的庫存已達(dá)到健康水平,而PC和移動客戶的庫存正呈現(xiàn)下降趨勢。

更為關(guān)鍵的是作為供應(yīng)端的SK海力士,其自身庫存已極其單薄。

該公司稱:“我們在DRAM和NAND上的庫存均處于正常水平,約為4周,并預(yù)計這一水平在全年將繼續(xù)下降。”

另外,對于市場高度關(guān)注的HBM(高帶寬內(nèi)存),SK海力士明確表示,2026年的產(chǎn)能分配已成定局。2026年的HBM已全部售罄,滿足客戶需求的生產(chǎn)計劃已經(jīng)分配完畢。

SK海力士坦言,鑒于目前的生產(chǎn)計劃,很難在2026年對HBM和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的產(chǎn)線進(jìn)行有意義的調(diào)整。

由于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM目前的供需極度緊張(Tight S/D),這為SK海力士在談判桌上贏得了更多籌碼,定價權(quán)更為穩(wěn)固。

在此背景下,SK海力士透露,“正在與主要客戶討論多年期的長期合約”。

該公司認(rèn)為,這種緊張局勢“可能會為2027年的HBM業(yè)務(wù)帶來更優(yōu)惠的條款”。

另外,SK海力士在資本開支(Capex)上仍保持清醒。

公司確認(rèn)今年的資本開支將超過去年,但強(qiáng)調(diào)將“繼續(xù)堅持資本開支紀(jì)律”。投資的優(yōu)先級非常清晰:核心聚焦于HBM和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM。對于NAND業(yè)務(wù),雖然恢復(fù)了部分投資(主要是向321層3D NAND遷移),但其在總資本開支中的占比將保持穩(wěn)定(預(yù)計維持在低雙位數(shù)百分比),不會盲目擴(kuò)張。

存儲芯片概念股全線大漲

美東時間2月20日,美股存儲概念股全線大漲,閃迪(SNDK)大漲4.65%,美光科技(MU)漲超2%。當(dāng)日亞洲交易時段,SK海力士大漲6.15%,股價再度創(chuàng)出歷史新高;三星電子亦創(chuàng)出收盤歷史新高。港股存儲芯片(886042)概念股亦小幅走強(qiáng),其中瀾起科技(HK6809)一度大漲超8%,兆易創(chuàng)新(HK3986)一度漲近4%。

當(dāng)天有報道稱,存儲芯片(886042)巨頭三星電子正就其最新一代AI存儲芯片(886042)的定價進(jìn)行談判,價格將較上一代高出至多30%。

盛寶銀行首席投資策略師查魯.查納納表示,有關(guān)三星HBM4的報道再次凸顯了該行業(yè)的“定價權(quán)”,“這表明AI存儲芯片(886042)市場供應(yīng)依然緊張,同時三星認(rèn)為自己在高端市場重新奪回了部分定價話語權(quán)”。

市場研究公司TrendForce預(yù)測,僅2026年第一季度,DRAM、NAND閃存的價格預(yù)計就將分別上漲90%至95%、55%至60%。

谷歌(GOOG)DeepMind首席執(zhí)行官Demis Hassabis日前在接受采訪時談到了眼下席卷全球的“內(nèi)存荒”。他表示,內(nèi)存芯片“整個供應(yīng)鏈”都受限,硬件層面的挑戰(zhàn)“正限制著大量(AI)部署”。

英特爾(INTC)CEO陳立武近日也警告稱,AI發(fā)展的瓶頸已從“算力”轉(zhuǎn)移至“內(nèi)存”及更廣泛的基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)。他直言,內(nèi)存短缺問題在2028年之前都不會緩解。

Bernstein半導(dǎo)體(881121)行業(yè)分析師Mark Li警告稱,內(nèi)存價格正在呈現(xiàn)“拋物線式”上漲。雖然這將為三星電子、美光科技(MU)和SK海力士帶來豐厚利潤,但電子行業(yè)的其他領(lǐng)域?qū)⒃谖磥頂?shù)月付出沉重代價。

Counterpoint Research表示,內(nèi)存成本上漲可能導(dǎo)致低端設(shè)備在經(jīng)濟(jì)上對電子公司而言難以為繼。隨著利潤率的下降,一些低價智能手機(jī)可能會徹底退出市場。

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