功率半導體（881121）行業(yè)正迎來新一輪漲價潮。日前，國產(chǎn)功率半導體（881121）企業(yè)無錫新潔能（605111）股份有限公司（以下簡稱“新潔能（605111）”）發(fā)布價格調(diào)整通知，宣布對MOSFET（金屬氧化物半導體（881121）場效應晶體管）產(chǎn)品漲價10%起，自3月1日起發(fā)貨生效。
而在此前，已有英飛凌科技公司、杭州士蘭微（600460）電子股份有限公司（以下簡稱“士蘭微（600460）”）、江蘇宏微科技（688711）股份有限公司等多家國內(nèi)外龍頭企業(yè)相繼發(fā)布產(chǎn)品調(diào)價通知，漲幅普遍在10%到20%之間，部分產(chǎn)品甚至更高。
“功率半導體（881121）企業(yè)此輪漲價，主要是成本壓力加劇 與 AI驅(qū)動的結(jié)構性需求爆發(fā) 共同推動的結(jié)果?！鄙虾Y產(chǎn)管理有限公司合伙人丁炳中在接受《證券日報》記者采訪時表示。
對于此次產(chǎn)品漲價，新潔能（605111）表示，近期全球上游原材料及關鍵貴金屬（881169）價格大幅攀升，導致其晶圓代工成本與封測成本持續(xù)上漲，目前已無法獨自承擔持續(xù)增加的綜合成本。為保障公司可持續(xù)運營，確保產(chǎn)品穩(wěn)定供應及保障服務質(zhì)量，經(jīng)慎重研究，決定對產(chǎn)品價格進行適度調(diào)整。
據(jù)悉，銅、鋁、鈀、銀等金屬是半導體（881121）封裝的核心材料，其價格自2025年以來出現(xiàn)顯著上漲，直接推高了生產(chǎn)成本。尤其是在中小功率器件中，封裝成本占比高達50%以上，部分產(chǎn)品甚至達到70%至80%，成本壓力直接傳導至終端產(chǎn)品定價。
“此輪漲價并非短期行為，或?qū)⒇灤?026年全年甚至更久?！倍”蟹治龇Q，貴金屬（881169）供需緊張格局短期內(nèi)難以逆轉(zhuǎn)，原材料成本仍將維持高位。同時，AI基礎設施建設仍處在投入高峰期， AI算力需求將持續(xù)拉動電源系統(tǒng)升級，對功率器件的需求強勁。
“AI服務器單機功率已從傳統(tǒng)服務器的數(shù)千瓦飆升至數(shù)十千瓦甚至兆瓦級，直接拉動了對功率半導體（881121）的海量需求。”萬聯(lián)證券投資顧問屈放在接受《證券日報》記者采訪時表示，從產(chǎn)能上講，擴建晶圓廠、調(diào)整產(chǎn)線結(jié)構需要一定的周期（883436），短期內(nèi)無法快速釋放產(chǎn)能填補缺口。
東海證券研報認為，AI基礎設施建設仍處于大規(guī)模投入階段，海外四大CSP（CSPI）（芯片級封裝）廠商資本開支同比高增，預計未來對算力的需求將爆發(fā)式增長；全球半導體（881121）行業(yè)2025年銷售額創(chuàng)歷史新高（883911），漲價潮正從存儲芯片（886042）蔓延至功率、模擬、MCU（微控制器）等非存儲領域。
在業(yè)內(nèi)人士看來，此次漲價潮中，產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構性分化的情況將加劇?！吧嫌尾牧吓c設備商直接受益于漲價潮，如環(huán)氧塑封料、貴金屬（881169）供應商及半導體設備（884229）廠商將迎來訂單增長?！鼻疟硎?，對于中游的設計與制造企業(yè)來說，頭部廠商如英飛凌、士蘭微（600460）、新潔能（605111）等可通過漲價改善毛利率，但中小廠商或許將上下承壓。
屈放認為，此輪漲價也將推動以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體（885908）加速滲透 。
“當硅基器件漲價而SiC通過規(guī)模化生產(chǎn)逐步降價時，其相對成本差距縮小，切換經(jīng)濟性增強。目前比亞迪（002594）、蔚來（NIO）等品牌的高端車型中已批量采用SiC電驅(qū)系統(tǒng)，預計2026年國內(nèi)新能源（850101）車SiC滲透率有望突破15%?！鼻疟硎?，在第三代半導體（885908）領域，國產(chǎn)企業(yè)正加速追趕，將打破海外巨頭的壟斷格局。
士蘭微（600460）近期在投資者互動平臺上表示，2025年，士蘭微（600460）繼續(xù)推進“士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目的建設，截至目前，已形成月產(chǎn)10000片6吋SiC-MOSFET芯片的生產(chǎn)能力；“士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目已于2025年底實現(xiàn)通線。
華潤微（688396）電子有限公司在最近的投資者調(diào)研活動中透露了其在第三代半導體（885908）領域的進展及未來方向：碳化硅方面，2025年相關產(chǎn)線基本實現(xiàn)滿產(chǎn)，最新一代MOS G4產(chǎn)品已推向市場，并獲得各行業(yè)標桿客戶的認可與批量使用，主驅(qū)模塊已實現(xiàn)批量上車。在氮化鎵方面，外延中心正式啟用，產(chǎn)能擴產(chǎn)有序推進，并正加快向更大規(guī)模爬坡。2026年，該公司將繼續(xù)加快新一代產(chǎn)品研發(fā)，重點拓展車規(guī)、數(shù)據(jù)中心、無人機（885564）、風光儲能（885921）等高景氣賽道，預計第三代半導體（885908）業(yè)務將保持強勁增長態(tài)勢，有望實現(xiàn)營收規(guī)模翻倍以上的提升。
