三星與英偉達(dá)加速下一代NAND閃存研發(fā)
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同花順7x24快訊
據(jù)韓國(guó)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》援引未具名業(yè)內(nèi)人士消息，三星電子正與英偉達(dá)合作，加快下一代NAND閃存芯片的研發(fā)。三星半導(dǎo)體研究院、英偉達(dá)和佐治亞理工學(xué)院的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種“物理信息神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算子”模型，其分析鐵電基NAND閃存器件性能的速度比現(xiàn)有模型快1萬(wàn)倍以上，并公布了研究結(jié)果。基于研究成果，三星正與英偉達(dá)合作開(kāi)發(fā)和商業(yè)化鐵電NAND閃存。(財(cái)聯(lián)社)
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