在經(jīng)歷一輪史詩級上漲后，半導體（881121）板塊開始顯現(xiàn)估值過熱擔憂。追蹤芯片板塊的iShares半導體ETF（159325）(SOXX.US)此前連續(xù)18個交易日上漲，創(chuàng)罕見連漲紀錄，但這一勢頭周一告終，iShares半導體ETF（159325）收跌1.34%。市場焦點隨之轉(zhuǎn)向，投資者是否仍應繼續(xù)追逐芯片股。
在截至上周五的18連漲期間，iShares半導體ETF（159325）累計上漲近50%，上周五還在英特爾（INTC）(INTC.US)強勁業(yè)績及AMD(AMD.US)獲分析師上調(diào)評級推動下單日上漲近5%。不過，快速上漲也令估值壓力升溫。
根據(jù)FactSet數(shù)據(jù)，iShares半導體ETF（159325）當前遠期市盈率接近26倍，明顯高于10年平均約19倍水平，并較標普500（SPX）指數(shù)溢價17%。而歷史上，該ETF通常相較大盤存在小幅折價。
分析人士指出，當前市場幾乎在“為完美定價”。Interactive Brokers首席策略師Steve Sosnick警告，當前主要風險在于市場預期過高，企業(yè)業(yè)績可能難以持續(xù)超預期。
從個股表現(xiàn)來看，本輪上漲幾乎覆蓋整個芯片板塊。即便表現(xiàn)最弱的高通（QCOM）(QCOM.US)自3月30日以來也上漲16%。而英偉達（NVDA）(NVDA.US)雖然上漲22%，在板塊中甚至被視作“落后者”。
漲幅領先的包括credo technology（CRDO）(CRDO.US)、Astera（ALAB） Labs(ALAB.US)和英特爾（INTC），三者在18連漲期間均實現(xiàn)翻倍。與此同時，邁威爾科技（MRVL）(MRVL.US)、AMD、德州儀器（TXN）(TXN.US)、美光科技（MU）(MU.US)以及arm holdings（ARM）(ARM.US)漲幅均超過50%。
Bespoke Investment Group指出，走勢與iShares半導體ETF（159325）大致同步的費城半導體（SOX）指數(shù)，當前可能已顯過熱。歷史上，僅有一次18日區(qū)間漲幅高于本輪，那是在2002年互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂后低點反彈階段。
不過，并非所有細分板塊都被認為估值透支。Mizuho分析師Jordan Klein認為，在CPU概念股狂熱推升下，存儲芯片（886042）或仍存在更優(yōu)性價比。
他指出，盡管美光(MU.US)和閃迪（SNDK）(SNDK.US)同樣大幅上漲，其估值明顯低于AMD、ARM和英特爾（INTC）。美光未來12個月預期市盈率僅約6倍，閃迪（SNDK）約10倍，而AMD、英特爾（INTC）和ARM分別高達42倍、74倍和103倍。
市場人士認為，這意味著資金未來可能從高估值AI算力主線部分輪動至存儲板塊。尤其在AI帶動存儲需求結(jié)構(gòu)性增長背景下，美光和閃迪（SNDK）或仍具重估空間。
不過，也有策略師提醒，半導體（881121）本質(zhì)仍是周期（883436）行業(yè)。JonesTrading首席市場策略師Mike O’Rourke指出，當前行業(yè)確實處于強勁增長周期（883436），需求短期仍有支撐，但周期（883436）越大，上行尾聲風險也可能越高。
